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氣相液相儀華粵行IVF顯微操作胚胎移植是一種輔助生殖技術(shù),，它涉及使用顯微鏡和精細(xì)的工具在體外進(jìn)行胚胎的植入,。這種技術(shù)通常用于體外受精（IVF）過程中，以提高受孕...

工業(yè)半導(dǎo)體微納加工二維材料實(shí)驗(yàn)室設(shè)備簡要描述：SENTECH二維材料刻蝕沉積能夠在低溫100C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層,，在樣品表面提供高通量的反...

PE鉑金埃爾默ICPMS是美國鉑金埃爾默公司（PerkinElmer, Inc.）推出的一款高性能的電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（Inductively Couple...

氣相沉積光刻機(jī)刻蝕機(jī)磁控濺射簡要描述：化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx,、SiOxN...

簡要描述：便攜式樣品傳送腔體沉積系統(tǒng)是一種專門設(shè)計(jì)用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設(shè)備,。這種設(shè)備通常包括一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵組成部分，如連接真空計(jì)的接口,、反射式光...

簡要描述：4/6英寸輻射式樣品臺(tái)系統(tǒng)“可能指的是一種用于實(shí)驗(yàn)或研究的設(shè)備或組件,，特別是在材料科學(xué)、物理學(xué),、工程學(xué)或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設(shè)備,。

簡要描述：插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便、實(shí)用的加熱設(shè)備,，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域,。這種加熱器通常具有緊湊的設(shè)計(jì)，可以方便地插入到電源插座中,，提供快速,、高效...

簡要描述：脈沖激光沉積樣品臺(tái)是一種物理氣相沉積技術(shù)，用于在襯底上生長高質(zhì)量的薄膜,。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺(tái)是一個(gè)關(guān)鍵組件,，用于支撐和加熱待沉積的樣品。

簡要描述：脈沖激光沉積靶臺(tái)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用對于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有重要影響,。通過綜合考慮穩(wěn)定性,、熱隔離、靈活性,、靶材均勻性,、冷卻機(jī)制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因...

簡要描述：脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個(gè)高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng),，需要各個(gè)部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質(zhì)量的薄膜,。同時(shí),，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光沉積技術(shù)也...

簡要描述：單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種的材料制備技術(shù),，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì),，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個(gè)沉...

簡要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種的薄膜制備技術(shù),，它結(jié)合了脈沖激光...

簡要描述：電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法,，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能,。

簡要描述：原子層沉積設(shè)備2為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù),。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物,。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng),。

簡要描述：原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一,；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）,。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱...

簡要描述：批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供能量,。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。

簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,，其制造設(shè)備也變得更大,，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對中小...

簡要描述：感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù),，可為沉積反應(yīng)提供一些能量,。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各...

簡要描述：低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng),。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。

簡要描述：電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),，可為沉積反應(yīng)提供一些能量,。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉...